npn晶体管导通条件,根据电压判断ebc三个电极

npn晶体管导通条件,根据电压判断ebc三个电极

NPN型晶体管和PNP型晶体管的导通条件，一汽解放青岛汽车厂成都分公司（1）截止区：其特点是发射极结电压小于导通电压，集电极结反向偏置。 对于普通发射极电路，UBE<=UON且UCE>UBE。 此时IB=0，晶体管的导通条件为1。截止区：其特点是发射极结电压小于导通电压，集电极结反向偏置。 对于普通发射极电路，UBE<=UON且UCE>UBE。 此时IB=0，且diC<=ICEO。 ICEO+oflowpowersilicontubeat1uA

?ω? NPN晶体管的导通条件是基极电压高于发射极电压，集电极电压低于基极电压。 这种情况称为正向偏置，因为它将NPN晶体管的基极和发射极之间的PN结置于正向偏置。使晶体管导通。b.设置器件的工作模式要打开晶体管，必须克服基极-发射极结电压。 克服基极-发射极结电压(VBE)所需的电压与二极管压降相同，通常约为0.7V。 实际应用中，VBE必须

●▽● NPN晶体管的导通条件为C点电位>B点电位>E点电位，晶体管的饱和导通条件为Ub>Ue，Ub>Uc。 PNP晶体管的导通条件是E点电位>B点电位>C点电位。三极管饱和导通的条件。NPN晶体管导通的条件是基极电位高于发射极电位。PNP晶体管导通的条件是基极电位高于发射极电位。 电极电位高于集电极电位，集电极与基极之间的电平关系决定晶体管处于饱和状态还是放大状态。

对于NPN晶体管和PNP晶体管的导通条件，晶体管的工作区域可分为三个区域：1.截止区域：其特点是发射极结电压小于导通电压，集电极结反向偏置。 对于共发射极电路，UBEv=U0且UCE>UBE。该晶体管的导通条件为1。对于NPN晶体管，其作用是用基极B的极小电流引出集电极C的巨大电流。Ibe电流由Ib基极电流决定。 2.三极管相当于两个二极管。

ˋ﹏ˊ MOSFET导通条件1.电压MOSFET的导通电压为VGS，即栅极加正电压（VD）。 由于MOS管是场效应晶体管，其输入电阻很小。 因此，只要VGS大于VD，MOSFET就可以导通。 请参考三极管高频小信号模型）。当施加Uce电压时，发射极结已经导通，其影响不是发射极结而是集电极结。