DRAM 的英文全称是“Dynamic RAM”,翻译成中文就是“动态随机存储器”。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM 必须隔一段时间刷新(refresh)一次。如果存储单元没有被...
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DRAM参数 |
DRAM集成度,sram和dram谁的集成度高
按集成度(芯片内包含的元件数量)分类:小规模集成电路(SSI)、中规模集成电路(MSI)、大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(VLSI)、超大规模集成电路(ULSI)。 摩尔存储器的读写速度比SRAM慢,密度较低,功耗较高,但容量大、集成度高、体积小、成本低,常被用作计算机、智能手机、服务器内存等电子设备的主存储器。 DRAM的结构比较简单,由很多组成
DRAM芯片是常用的存储芯片,结构相对复杂,包括存储单元、位线、字线、地址译码器、刷新电路和控制逻辑电路等重要部件。 集成度高、动态大、读写速度快、功耗低。DRAM比SRAM具有更高的集成度。 A.正确B.错误相关知识点:问题来源:分析A反馈集合
SUCS1R52412存储单元结构简单,集成度远高于SRAM,最大容量达到1Gbit,最大时钟工作频率达到250MHz。 因此,对于相同的容量,DRAM更便宜。 目前DDRSDRAM1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首先提出CMOS技术。如今,95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS技术;1964年:Intel摩尔提出摩尔定律,预测晶体管集成度将每18个月增加一次
DRAM依靠电容器存储电荷的原理来存储信息。电容器上有足够的电荷代表1,电容器上没有电荷代表0。 与SRAM相比,DRAM的集成度更高,功耗低,价格便宜;但即使不使用,读出也是有破坏性的。由于6管的面积比1管+1个电容的面积大,单位面积的DRAM容量更大,即DRAM的集成度更高。
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