pn结公式,缓变pn结和突变pn结的区别

pn结公式,缓变pn结和突变pn结的区别

为了描述pn结电流密度的分布，我们可以用下面的公式来计算：J=J0*(exp(qV/kT)-1)其中，J代表电流密度，J0为饱和电流密度，qi为电子电荷，V为外加电压，k为玻尔兹曼常数，x坐标的零点为PN结。 类似地，我们还可以求出N扩散区域的非平衡少数载流子浓度分布为：\Deltap=p_{n0}\left[\mathrm{exp}\left(\frac{qV}{kT}\right)-1\right]\mathrm{exp}\left(\

pn结内置电势差的计算公式为第一种形式：VD=kT/q*ln(nno*ppo/n²i)①VD内置电势差Tabsolute温度值q绝对值电子电荷n非型半导体电子浓度ppop型半导体电势图单面突变结电荷分布、电场分布、电势分布用途中性区电中性条件推导空间电荷区内建电势差公式：求解泊松方程求解内建电场、PN结SCR内建电势、内建电势差

1.正向偏置时PN结的电阻R=U/I。 式中，U为PN结上的正向电压，I为流过PN结的电流。 当PN结反向偏置时，电阻R=U/I。 2、电阻率的计算公式为：ρ=RS/L。 上式中，ρ为电。根据势垒公式，PN结的势垒差与P区和N区的温度和杂质浓度有关。 势垒公式可表示为：Vbi=(k*T/q)*ln(Na*Nd/ni^2)其中Vbi代表势垒势差，k代表玻尔兹曼常数，T

齐纳击穿：一般出现在掺杂浓度较大的二极管中，其空间电荷区域较窄。 根据式6.1可以看出，当空间电荷区域很窄时（式6.1），即使fu不大，E也会很大，导致形成大电流，击穿PN结。 E=u/d——pn结方程称为伏安特性方程I=Is*(e^U/Ut-1)I是反向饱和电流(漏电流)U导通电压Ut温度00时分享给您报告您可能对广告电容和电感公式内容感兴趣-[JD]电脑办公，独一无二！