海力士mfr颗粒超频,海力士挖矿超频

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虽然MFR颗粒在定位和超频能力上比DJR低了好几个级别，但C17-19-19-39时序MFR颗粒内存在跑分上甚至超越了C17-21-21-39DJR内存。可见，在出厂良好调校的情况下，端端内存也能应对3600MHz的频率。海力士推出的第一代内存颗粒在DDR4时代是MFR颗粒（即HynixM-die），采用25nm工艺技术，具有稳定耐用的优势。 但它几乎没有超频能力，广泛应用于低频DDR4内存。 为了和三星掰手腕，海

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下面我们开始HynixD5颗粒的实际超频操作。如图所示，我们直接进入主板稳定支持的内存超频最高频率——6666MHz。可以直接复制作业。 首先我们将主板BIOS更新到最新版本，然后采用AFR颗粒，一般采用21nm工艺，具有比MFR更好的超频能力。3200MHz的频率上加电压并不困难，但高频下物理质量不好。 时机也很平均。 HynixCJR颗粒是SKHynixHynixC-die颗粒，是MFR和MFR的继承者

海力士mfr颗粒超频时序

Hynix我们先来看看Hynix，他们的第一代D4是MFR颗粒，也称为M-die。这种颗粒的稳定性相当不错，但超频能力几乎为零。 它们的后缀是"MFR"。大部分都是类似威刚的红龙或者金龙，以及某些品牌的高频内存，采用最好的海力士MFR颗粒，但只使用了6层PCB。 风冷下超频只能超过2800~3000，而1.65~1.69基本上就是这款内存的最佳电压位置。 无论电压设置多高，超频能力均不高于1.65V~1.69V。

海力士mdie颗粒超频

≥△≤ 另外，需要注意的是，DDR5超频和DDR4超频本质上没有区别，关键是IMC/内存/主板相互匹配。另外还要注意CPU和内存温度；现阶段DDR5超频到7000份对IMC/内存/主板的影响较大。 需要称为MFR颗粒。这些颗粒可以稳定运行在2666MHz或2400MHz，但几乎没有超频潜力，即使电压疯狂增加也无法成功。然后Hynix在AFR中推出了颗粒发送。这代颗粒h分配明显改善，以提高超频性能，加压