可用下面的公式校准: C校准=C读数(1+tg2δ) 校验时,应采用全屏蔽的标准插头连接介损仪和试品,裸露的电极也会引起很大的误差。 注意:西林型电桥做三电极结构(高压极、低压极和...
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电容器介电常数影响因素 |
电容的介质损耗因数,电容器损耗是怎么算出来的
耗散因数经常随温度和频率而变化。 使用云母和玻璃电介质的电容器通常具有0.03%至1.0%之间的DF值。 常温下,陶氏介电损耗因数的测量是高灵敏度的测试项目。它可以检测电力设备整体绝缘的潮湿、劣化和局部缺陷,以及小体积被测设备的穿透和不穿透。 电容器介电损耗因数和电容器绝缘介质类型,
 ̄□ ̄|| 4、电容器介质损耗因数:介质损耗是指在电场作用下,绝缘材料内部由于介质电导率和介质极化的磁滞效应而引起的能量损失。 主要分为以下两个部分:1、电导损耗:也用于区分电容器的有效性。 损耗因数是电容器循环中存储的能量损耗的总和。 损耗因数等于介质的功率因数或相位角的余弦。 高频时的电容损耗可以简化为串联电阻模型,因此等效串联电阻
线圈的Q值与导线的直流电阻、骨架的介电损耗、屏蔽层或铁芯造成的损耗、高频集肤效应的影响等原因有关。 线圈的Q值一般为几十至数百。 使用磁芯线圈时,多个粗线圈会通过介质的容性电流Ico产生无功功率;阻性电流会导致介质升温并产生损耗,即有功功率。 介电损耗因数(tanδ)是油纸绝缘材料的基本特性之一。 如上所述,当施加交流电压时,流过绝缘体的电流I滞后
电容器的损耗因数通常是指电容器在电场作用下因发热而消耗的能量作为电容器的损耗。 习惯上用损耗角正切tgδ来表示电容器损耗的大小,tgδ称为损耗因子。 在本标准中,电容用皮法和厘米来计算。真空电气常数:ε0=0.08854pF/cm3.2介电损耗角δ以绝缘材料为介质的电容器上施加的电压与电容器上施加的电压有关。 当前生成的
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