可控硅什么情况会击穿,可控硅坏了有什么现象

可控硅原理 2023-12-27 22:34 860 墨鱼

可控硅原理

可控硅什么情况会击穿,可控硅坏了有什么现象

1、过电压击穿：过电压击穿是晶闸管击穿的主要原因之一。晶闸管的承受过电压的能力几乎没有时间。甚至过电压也会在短短的几毫秒内发生。击穿，所以在实际应用电路中，R1.过电压击穿：过电压击穿是晶闸管击穿的主要原因之一。晶闸管几乎没有时间承受过电压，即使在几毫秒内，过电压也会被击穿。因此，在实际应用电路中，晶闸管两端必须连接RC回路，

（°ο°） 3.由于di/d和开通时间而烧毁的晶闸管虽然也是一个小黑点，但烧毁的位置与真正的电压击穿不同。烧毁的机理与上述2相同。是的，只是因为芯片内部的小晶闸管比较小，所以就形成了1.过压击穿：过压击穿是晶闸管击穿的主要原因之一。晶闸管的承受过电压的能力几乎是瞬时的。即使在短短的几毫秒内，过电压也会被击穿。因此，在实际应用电路中，晶闸管两侧必须

事实上，过流击穿和过热击穿是同一回事。过流击穿是指当电流通过晶闸管芯片时，在芯片内部产生热效应，导致芯片温度升高。当芯片温度达到175℃时，芯片将失效且无法恢复。1.过压击穿：过压击穿是晶闸管击穿的主要原因之一。晶闸管承受过电压的能力几乎没有时间，甚至过电压也会在短短几毫秒内被击穿。秒。因此，在实际应用电路中，存在

如果当地电压不稳定，出现浪涌，可能会导致两种情况：晶闸管击穿：电压浪涌时，晶闸管承受的电压加上温控只能控制晶闸管的控制端。，但如果晶闸管击穿，则意味着电源直接施加到加热管上。

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