可控硅保护电路,单向可控硅电路

可控硅保护电路,单向可控硅电路

单向晶闸管单路电路图(1)触摸金属片打开，SCR1导通，负载通电工作。 触碰金属片闭合，SCR2接通，继电器J得电工作，K断开，负载断电。SCR2关断后，电容对继电器J放电，维持继电器。合同文件标签：可控硅保护电路系统标签：晶闸管保护电路SCR功率半导体整流电压上升功率半导体解决方案专家半导体技术支持：010-87995668879958

˙ω˙ 控制电路的电子保护一般在检测到异常时进行过流、过压、过载保护；主电路的过流保护一般采用串联快速熔断器，过压保护采用并联压敏电阻。 电压上升率保护采用并联电阻电容电路，D1和D2分别对电源的正半波和负半波进行整流，并加到Atotrigger和C1或C2上进行充电。 Wi进一步用于改变移相的触发时间，只要调节W的阻值，就可以改变输出电压。 D1和D2仍有最低限制

摘要：目前集成电路设计中大量采用晶闸管设计结构进行ESD保护。然而，一般的可控硅保护结构很难满足当前低电压和集成电路的一些特殊要求。ESD保护需要晶闸管(可控硅)保护电路-非极化缓冲电路2.晶闸管(可控硅)保护电路-过压撬棒电路晶闸管过压保护电路或保护电路之间连接电源输出与地，选择齐纳二极管电压略高于输出轨电压